IRF740 является n-канальным транзистором-полевиком MOSFET с высокой мощностью. Его основной производитель — фирма IR. Затвор прибора обособлен. Сегодня устройство выпускает и последователь IR, компания Vishay, под иным названием, которое прописано в даташит.
Нагрузку прибора можно корректировать в пределах до 400 В. Они потребляют до 10 А, а порог напряжения затвора в тот момент составляет 10 В. Максимальная рассеивающаяся мощность составляет 125 Ватт.
Для определения ваты (по научному Ватт, используют ваттметр ).
Сопротивление, которое указано в инструкции производителя, невысокое, оно равно 0,55 Ом.
Так как задача данного транзистора — переключать силовые линии, прибор обладает довольно большим затворным напряжением, поэтому не всегда применяется с микроконтроллерным выходом. Последнее нужно делать с еще одной обвязкой.
Цоколевка IRF740
Классическим корпусом прибора является ТО-220AB. Он способен выдержать серьезное повышение температур и рассеянную мощность до 50 Вт. Распиновка встречается у большей части транзисторов-полевиков от данной фирмы. Левая нога является затвором, правая — истоком, а центральная — стоком.
Чтобы определить распиновку, нужно приглядеться к внешней стороне прибора с нанесенной на нее маркировкой. Во время монтажа на плату учитывайте, как корпус физически соединяется со стоковым выводом.
Характеристики IRF740
Изучая характеристики полевиков, нужно в первую очередь учесть его наибольшие возможные показатели. Далее, следуя поставленной задаче, нужно узнать об электрических параметрах. Затем — перейти на графики типичных выходных значений передачи, и других. Вся эта информация содержится в русскоязычной версии DataSheet irf740.
Максимумы
Рассмотрим наибольшие из возможных показатели MOSFET IRF740. Не считайте их основными, как будто только при них транзистор нормально работает. Превысив каждый из них даже на недолгое время, можно вывести прибор из строя.
Допустимые величины электрических параметров
Данный тип характеристик содержит сведения, проверенные изготовителем на конкретных условиях. Они отмечаются дополнительно, в одной из колонок специальной таблицы. К примеру, одно из допусловий позволяет понять, что транзистор, когда напряжение стока-истока составляет 400В, а на затворе его нет, проводится минимальный ток — 250 мкА.
Тепловые характеристики
Главный параметр, ограничивающий использование полевика — температура, необходимая для его нормальной работы, то есть, ее возрастание. Оно зависит от сопротивления прибора, когда сквозь него проходит электричество. Если оно небольшое, все равно присутствует небольшая рассеивающаяся мощность, что и вызывает нагрев.
Чтобы упростить расчеты, зависящие от нагревания IRF740, а в datasheet прописаны показатели его теплового сопротивления: от кристалла к корпусу и кристалл-внешняя среда.
Неверные вычисления тепловых характеристик для применения в проектах и неправильная пайка вызывают перегревание транзисторов. Как-то раз я читал радиолюбительский форум, и там один из участников говорил, что в сформированной им схеме пиратский металлоискатель слишком нагрет. Электронщик долго разбирался, и оказалось, что дело в некачественной пайке устройства на плату и снижение температуры.
Чем можно заменить IRF740
Прибор имеет несколько иностранных аналогов:
- D84EQ2 (National Semiconductor).
- STP11NK40Z (STM).
У них — внешне похожие корпуса и показатели. Поэтому, если включить один из этих приборов в проектную схему, ее не нужно менять. Еще одно аналогичное устройство, подходящее на замену, — это российский аналог транзистора, КП776. Он изготавливается в компании “Интеграл”, в Беларуси. Есть несколько допустимых электрических режимов использования этого устройства.
Как проверить устройство с помощью мультиметра
Основная часть полевиков проверяется с помощью стандартного мультиметра. Первым делом нужно проверить, как работает так называемый диод-паразит, соединяющий выводы истока и стока. Далее — проверьте как мофсет открывают и закрывают одновременным быстрым прикосновением щупов оборудования к контактам G и S.
Возле истока и стока есть 2 области с большим количеством заряженных примесей, имеющих повышенную проводимость. Здесь подложкой является p-основание.
Кристалл соединяется с истоком, поэтому на большей части условных графиков он так и изображен. Когда напряжение на затворе повышается, в канале появляется поперечное электрополе, отталкивающее Электроны. Происходит закрытие канала, когда достигается порог Uзи.
Когда подается отрицательное напряжение затвора — истока, стоковая сила тока уменьшается. Транзистор закрывается. Это называется режимом обеднения. Если же подаётся напряжение со знаком «+», на затворе и истоке осуществляется обратное: за счет притягивания электронов возрастает сила тока. Это явление именуют режимом обогащения.
Все описанное подходит к транзисторам типа n, с внутренним каналом. В случае с p происходит замена электронов так называемыми дырками, и происходит изменение полярности напряжения на другой знак.
С индуктивным каналом
В таких транзисторах не протекает ток, если нет напряжения затвора. Если сказать точнее, ток очень небольшой, поскольку он является обратным от подложки — к высоко легированным элементам стока и истока.
Если напряжение есть, мы имеем дело с вариантом канала индукции, где под влиянием поля заряды со знаком «-» попадают на территорию затвора. Это означает появление электронного коридора между истоком и стоком. При появлении канала происходит открытие транзистора и протекание через него электричества.
Приведем пример практического применения высокого сопротивления выхода. Устройства с такими свойствами довольно популярны. Это согласующие приборы, которыми проводится подключение электроакустики — гитар с пьезозвукоснимающими приборами и электрических гитар с электромагнитными снимателями звука, к входам с маленькими сопротивлениями
От невысокого сопротивления может произойти просадка сигнала выхода. Его форма может меняться в разных пределах, согласно частоте сигнала. Это можно предотвратить введением каскада невысокого сопротивления входа. Таким способом удобно подключаются электрогитары к линейным входам компьютерных видеокарт. Это делает звук более ярким, а тембр — насыщенным.
Где купить IRF740
Приобрести этот транзистор можно где угодно. Лично я покупал на АлиЭкспресс по ссылке , но Вы можете поискать и в своем городе или с доставкой по России. Плюсом покупки на Али будет низкая цена, минусом что можно ждать очень долго. Поэтому если Вы не торопитесь, покупайте в Китае. Один человек с ютуба заказывал в Китае IRF740 и сделал видео обзор: